Samsung Electronics startet Massenprodukion des ersten 512-MBit-Mobile-DRAMs in 90-nm-Technologie
Seoul, Korea, 10. November 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat mit der Serienfertigung eines 512-MBit-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für mobile Produkte begonnen. Die neuen Mobile DRAMs...
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