Samsung Electronics startet Massenprodukion des ersten 512-MBit-Mobile-DRAMs in 90-nm-Technologie
Seoul, Korea, 10. November 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat mit der Serienfertigung eines 512-MBit-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für mobile Produkte begonnen. Die neuen Mobile DRAMs...
Neueste Kommentare
17. April 2026
13. April 2026
13. April 2026
13. April 2026
13. April 2026
13. April 2026