1 Gbit DDR DRAM wird gefertigt

Samsung startet 100nm Massenproduktion von 1 Gb DDR DRAM Chips

Im Januar hatte Samsung die ersten DDR SDRAM Speichermodule mit einer Kapazität von 4 GB präsentiert, die auf 1-Gbit-Speicherbausteinen basieren. Heute nun gab Samsung – wie damals angekündigt – den Start der Massenproduktion dieser Chips bekannt. Die 1 Gb DDR SDRAM Bausteine werden auf 300mm Wafern in 100nm (0.10µ) Prozesstechnologie hergestellt. Die neuen Speicherchips sind nach Angaben von Samsung die ersten ihrer Art, die bereits von Intel validiert wurden.

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Die 1-Gbit-Bausteine sind mit Datenübertragungsraten von 266 und 333 Mbit/s (DDR266 = 133MHz Speicherbus; DDR333 = 166MHz Speicherbus) erhältlich. Das erwähnte 4-GB-Speichermodul ist als Registered DIMM für Server und Workstations verfügbar. Ein mit den neuen 1-Gb-Speicherchips ausgestattetes Modul mit einer Kapazität von 2 GB ist für Desktop-Systeme (unbuffered DIMM) und für Notebooks (SODIMM) zu bekommen.

Die ersten Wafer mit 1-Gbit DDR SDRAM Chips

Quelle: Samsung

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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