1 Gbit DDR DRAM wird gefertigt

Im Januar hatte Samsung die ersten DDR SDRAM Speichermodule mit einer Kapazität von 4 GB präsentiert, die auf 1-Gbit-Speicherbausteinen basieren. Heute nun gab Samsung – wie damals angekündigt – den Start der Massenproduktion dieser Chips bekannt. Die 1 Gb DDR SDRAM Bausteine werden auf 300mm Wafern in 100nm (0.10µ) Prozesstechnologie hergestellt. Die neuen Speicherchips sind nach Angaben von Samsung die ersten ihrer Art, die bereits von Intel validiert wurden.

Die 1-Gbit-Bausteine sind mit Datenübertragungsraten von 266 und 333 Mbit/s (DDR266 = 133MHz Speicherbus; DDR333 = 166MHz Speicherbus) erhältlich. Das erwähnte 4-GB-Speichermodul ist als Registered DIMM für Server und Workstations verfügbar. Ein mit den neuen 1-Gb-Speicherchips ausgestattetes Modul mit einer Kapazität von 2 GB ist für Desktop-Systeme (unbuffered DIMM) und für Notebooks (SODIMM) zu bekommen.

Quelle: Samsung