Samsung: 16Gbit NAND-Flash-Chips

Massenproduktion in 51 nm gestartet

Speicherkarten mit 32 GByte könnten schon bald keine Zukunftsmusik mehr sein. Denn Samsung hat begonnen, 16 GBit (2 GByte) NAND-Flash-Chips mit 51 nm-Strukturen in Massenfertigung herzustellen. Die Chips besitzen eine „Multi-Level Cell“ (MLC)-Struktur und arbeiten mit einer Blockgröße von 4 KByte (gegenüber 2 KByte bei derzeitigen Flash-Speichern). Laut Samsung konnte man dadurch die Datenrate fast verdoppeln.

Anzeige

Die Lesegeschwindigkeit stieg von 17 MByte auf 30 MByte die Sekunde, die Schreibgeschwindigkeit konnte von 4,4 MByte auf 8 MByte die Sekunde erhöht werden. Die neue Seitengröße muss allerdings von den Controllern der Geräte auch unterstützt werden. Speicherkarten und Controller für MP3-Player, die mit Blockgrößen von 4 KByte umgehen können, sollen laut Samsung bereits erhältlich sein.

Die erhöhte Speicherdichte (bisher waren 8 GBit pro Chip üblich) ermöglicht die Herstellung größerer Speicherkarten. Laut Samsung sind nun bis zu 16 GByte pro Karte möglich, Heise rechnet vor, dass sogar 32 GByte machbar sind (16 Flash-Dices mit jeweils 16 GBit/2 GByte).

Quelle: Pressemitteilung

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert.