Samsung mit DDR3-RAM in 30 Nanometern

Schneller und engergieeffizienter als voherige Generationen

Samsung hat neuen DDR3-RAM mit Chips, die im 30-Nanometer-Verfahren entstehen, angekündigt. Die neuen Module sollen diesen Sommer erscheinen und Anwender mit mehr Leistung und Energieffizienz überzeugen als vorherige Generationen. Samsungs Reid Sullivan, Senior-Vizepräsident für Marketing im Bereich mobile Unterhaltung, erklärt die 30-Nanometer-Herstellung ermögliche extrem stromsparende DDR3-Technik, gekoppelt mit einer Geschwindigkeit von bis zu 1.600 Mbps. Die Speichermodule sollen mit 2 bzw. 4 GByte Speicher sowohl für Desktop-PCs als auch für Notebooks erhältlich sein.

Anzeige

Samsung verspricht die Abwärtskompatibilität zu bisher erhältlichem DDR3-RAM. Der Stromverbrauch soll allerdings um zwei Drittel niedriger liegen als bei in 60 Nanometern gefertigten Chips. Dennoch geht man keine Kompromisse bei der Leistung ein und erreicht laut eigenen Angaben 20 % mehr Leistung als bei aktuellem DDR3-DRAM im 40-Nanometer-Verfahren.

Leider sind die Preise für Deutschland noch offen. Erscheinen sollen die Modulen einzeln und im Doppelpack noch im Verlauf diesen Sommers.

Quelle: Fudzilla

André Westphal

Redakteur

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert.