Samsung 800MHz GDDR3 RAM

Bald erste Muster des effektiv bis zu 1600MHz schnellen Grafikspeichers

Der koreanische Elektronikkonzern Samsung will nach eigenen Angaben noch in diesem Monat Muster seiner neuen GDDR3 Speicherbausteine (Graphics-DDR SDRAM) an die Hersteller von Grafikchips und -karten ausliefern. Die neuen GDDR3 256Mbit Chips werden für die Taktraten 500, 600, 700 und 800 MHz erhältlich sein und besitzen Zugriffszeiten zwischen 2.0 und 1.25 Nanosekunden. Durch die Double Data Rate Technologie verdoppelt sich die Datentransferrate, so dass man auch von effektiven 1000 bis 1600 MHz spricht. Die Massenproduktion der GDDR3 Chips soll in Kürze aufgenommen werden.

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Es hat den Anschein, dass Samsung damit das im letzten Jahr eingeführte GDDR2 SDRAM ablöst, denn dieses ist im Grafikspeicher-Angebot von Samsung nicht mehr zu finden.
GDDR3 erlaubt deutlich höhere Taktraten bei niedriger Versorgungsspannung im Vergleich mit bisher gängigem DDR SDRAM auf Grafikkarten, das bis maximal 500MHz (effektiv: 1000MHz) erhältlich war. GDDR3 dürfte deshalb auf den kommenden High-End Grafikkarten von nVidia und ATI Technologies (NV40 und R420) zu finden sein, die höhere Speicherbandbreiten bieten wollen.

Der amerikanische Samsung-Konkurrent Micron hatte im letzten Jahr übrigens ebenfalls GDDR3 Speicherbausteine angekündigt, die auch in Kürze erhältlich sein dürften.

Quelle: X-bit labs

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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