Samsung: Meilenstein in der Flash-Herstellung

Samsung hat laut eigenen Aussagen die Massenproduktion des „industrieweit ersten 3D Vertical NAND Flash Memories“ begonnen. Durch diesen technischen Durchbruch kann man mehr Speicher auf weniger Raum unterbringen und die Leistungsfähigkeit steigern. Zum Einsatz soll der neue Speicher in Embedded-Lösungen und SSDs kommen. Der neue V-NAND bietet bis zu 128 GByte Speicherplatz auf einem Chip. Gegenüber herkömmlichen Floating-Gate-NAND aus dem 10-Nanometer-Verfahren erreicht Samsungs neuer Speicher die doppelte Schreibgeschwindigkeit.

Laut Samsung erhöht sich die Zuverlässigkeit des 3D-V-NAND gegenüber herkömmlichem Flash-Speicher minimal um das Zweifache und maximal um das Zehnfache. Samsung hofft dem Markt für Flash-Speicherplatz mit seinem neuen 3D Vertical NAND Flash neue Impulse zu geben.

Quelle: E-Mail