Samsung: Meilenstein in der Flash-Herstellung

Weltweit erster 3D Vertical NAND Flash

7. August 2013, 18:15 von

Samsung hat laut eigenen Aussagen die Massenproduktion des “industrieweit ersten 3D Vertical NAND Flash Memories” begonnen. Durch diesen technischen Durchbruch kann man mehr Speicher auf weniger Raum unterbringen und die Leistungsfähigkeit steigern. Zum Einsatz soll der neue Speicher in Embedded-Lösungen und SSDs kommen. Der neue V-NAND bietet bis zu 128 GByte Speicherplatz auf einem Chip. Gegenüber herkömmlichen Floating-Gate-NAND aus dem 10-Nanometer-Verfahren erreicht Samsungs neuer Speicher die doppelte Schreibgeschwindigkeit.

Anzeige

Laut Samsung erhöht sich die Zuverlässigkeit des 3D-V-NAND gegenüber herkömmlichem Flash-Speicher minimal um das Zweifache und maximal um das Zehnfache. Samsung hofft dem Markt für Flash-Speicherplatz mit seinem neuen 3D Vertical NAND Flash neue Impulse zu geben.

Quelle: E-Mail

André Westphal

Redakteur

Mehr zum Thema

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert

Folgen:

Kategorien

Neueste Kommentare

Anzeige