Samsung: RAM der 10-nm-Klasse

Massenfertigung läuft: Kleinere, stromsparende DDR4-Chips

Samsung hat den Start der Massenproduktion von DDR4-Speicher der „10-Nanometer-Klasse“ verkündet. Es handelt sich dabei um Chips mit einer Kapazität von 1 GByte und Geschwindigkeiten bis 3200 MHz. Im Vergleich zu den bisherigen DDR4-Chips der „20-nm-Klasse“ mit bis zu 2400 MHz wurde nicht nur die Transferleistung erhöht, sondern gleichzeitig der Stromverbrauch gesenkt.

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Neben der Geschwindigkeitssteigerung der neuen Chips um 33 % sollen entsprechende DDR4-Speichermodule zwischen 10 und 20 % weniger Strom benötigen, wenn man das mit ihren Vorgängern der 20-nm-Klasse vergleicht.
Darüber hinaus kann Samsung nun deutlich mehr Speicherchips aus einem produzierten Wafer gewinnen. Der Hersteller geht selbst von 30 % mehr Chips der 10-nm-Klasse aus als noch bei den 20-nm-Vorgängern. Das erhöht die Produktivität und die schwarzen Zahlen unter dem Strich.

Übrigens handelt es sich bei der Produktion nicht um „10-Nanomenter-Technik“ im eigentlichen Sinne, deshalb verwendet Samsung die Bezeichnung „10-nm-Klasse“. Darunter fasst der Hersteller Prozesstechnologien von 10 bis 19 Nanometer zusammen, während die „20-nm-Klasse“ von 20 bis 29 Nanometer reicht. Einzelheiten nennt Samsung nicht.

Die neuen DDR4-Chips und -Module der 10-nm-Klasse sind gedacht für den Einsatz in Computern und werden im Laufe dieses Jahres mit Modulkapazitäten von 4 GByte (für PCs und Notebooks) bis 128 GByte (für Server) kommen.
Gleichzeitig stellt Samsung auch schon Mobil-DRAM der 10-nm-Klasse für Smartphones und Tablets in Aussicht. Dieses soll später folgen.

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Quelle: Samsung

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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