Samsung entwickelt 4GBit DDR-Chip

Mittlerweile sind die neuen DDR-SDRAM Speicherchips

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sehr im kommen. Das zeigt sich nun auch wieder bei Samsung.
Nicht weniger als 512MByte-Chips werden zur Zeit vom
Speicherhersteller entwickelt. Damit ist Samsung der
erste Konzern, der eine solch hohe Anzahl an Transistoren
auf einen einzigen Chip unterbringen kann. Damit wird wieder einmal
Moore’s Gesetz der Transistor-Verdopplung auf einem Chip
alle 18 Monate (+/- ein paar Monate) bestätigt. Produziert
wird dieser 4GBit DDR-Chip in der 0.10y Technik und benötigt
1.8 Volt an Spannung. Allerdings wird die Massenproduktion
frühestens in vier Jahren erwartet.

Quelle: Electronic News

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