Kleinste SRAM-Zelle der Welt

Samsung zeigt bereits in 90nm gefertigte DDR3-SRAM-Bausteine

Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung Electronics hat gestern bekannt gegeben, die Entwicklung der nach eigenen Angaben kleinsten DDR3-SRAM-Zellen der Welt abgeschlossen zu haben. Diese besitzen eine Kapazität von 72 Mbit, sind schon in der 90nm Prozesstechnologie hergestellt und nehmen lediglich eine Fläche von 0,79 µm² ein. Dabei konnte Samsung noch die herkömmlichen Litographie-Tools bei der Fertigung einsetzen.

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Entwickelt für den Einsatz in High-End Servern und Workstations, erreichen die 72Mbit-DDR3-SRAMs eine Verarbeitungsgeschwindigkeit von 750 MHz und kommen damit auf eine Datenrate von 1,5 GBit/s. Dabei benötigt dieser Speicher lediglich eine Spannung von 1,2 Volt. Zum Vergleich: Die Versorgungsspannung von DDR-I und DDR-II Speicher beträgt 2,5V bzw. 1,8V.
Muster solcher DDR3-SRAMs mit der geringeren Kapazität von 32 Mbit sind bereits für die Speicherhersteller verfügbar. Die Massenproduktion der 72Mbit-DDR3-SRAMs soll im vierten Quartal diesen Jahres aufgenommen werden.

Samsung 72Mbit-DDR3-SRAM

Quelle: E-Mail

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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