Samsung fertigt DDR2-RAM in 80nm

Um etwa die Hälfte effizienter könnte Samsung in Zukunft DRAMs nach dem DDR2 SDRAM Standard herstellen. Grund dieser Verbesserung ist der Umstieg von 90nm auf 80nm große Strukturen. Als erster Hersteller weltweit konnte Samsung die Produktion von 512 Mbit DDR2-DRAMs in 80nm-Technologie einleiten. Mit diesem Umstieg sieht sich die Firma der weiter steigenden Nachfrage ausreichend gewachsen.

Nach eigenen Angaben verlief der Umstieg problemlos. Ein großer Teil der Technologie aus dem 90nm-Produktionsprozess konnte übernommen werden, die vorhanden Produktionslinien mussten lediglich “minimal erweitert” werden.

Ein Helfer beim Wechsel auf den 80nm-Prozess waren die sogenannten “Recess Channel Array Transistoren” (RCATs). Dabei handelt es sich um ein dreidimensionales Layout, das zu einer besseren Refresh-Rate führt. Die RCATs von Samsung sollen obendrein auf einer kleineren Zellenfläche unterkommen und sich daher bei der Skalierung des Fertigungsprozesses positiv auswirken sowie mehr Chips auf einem Wafer ermöglichen, was wiederum die Kosten pro Chip senken hilft.

Quelle: Pressemitteilung