Samsung nimmt die Serienfertigung von 576Mb-RDRAM auf
Schwalbach/Ts., 10. September 2003 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat heute mit der Serienfertigung von 576-Mbit-RDRAM® begonnen. Der Hochleistungsspeicher, der eine Rekorddatenübertragungsrate von 1200 Mbits/s erreicht, bietet...
Neueste Kommentare
19. Dezember 2025
18. Dezember 2025
11. Dezember 2025
11. Dezember 2025
5. Dezember 2025
4. Dezember 2025