Samsung 32 GByte DDR3-Module
Mehrere Chips übereinander verbaut
Samsung hat die ersten Arbeits-Samples eines DDR3-Speichermoduls mit 32 GByte herstellen können. Dieser besteht aus mehreren Speicherchips mit 30nm Strukturbreite, die über eine „through silicon via“ (TSV) genannte Technologie verbunden werden. Dabei...
Neueste Kommentare
23. November 2025
19. November 2025
18. November 2025
18. November 2025
5. November 2025
3. November 2025