Schlagwörter: Samsung

Samsung präsentiert neuen High-Speed 2-GBit-NAND Flash-Speicher

Samsung präsentiert neuen High-Speed 2-GBit-NAND Flash-Speicher

Schwalbach/Ts., Deutschland, 29. April 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien, gibt heute eine Geschwindigkeitsverbesserung seiner 2-GBit-NAND-Flash-Speicher bekannt. Dieser neue Hochgeschwindigkeits-NAND-Flash-Speicher verbessert die sequentielle Schreib-/Lese-Zugriffszeit von 50 ns...

Samsung Electronics und Sony unterzeichnen Memorandum of Understanding fürSamsung Electronics und Sony unterzeichnen Memorandum of Understanding für ein Joint-Venture zur Fertigung von amorphen TFT-LCDs der siebten Generation

Samsung Electronics und Sony unterzeichnen Memorandum of Understanding fürSamsung Electronics und Sony unterzeichnen Memorandum of Understanding für ein Joint-Venture zur Fertigung von amorphen TFT-LCDs der siebten Generation

Seoul, Korea / Tokyo, Japan, 29. Oktober 2003 – Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung) und die Sony Corporation (Sony) haben ein Memorandum of Understanding unterzeichnet, das den Abschluss eines Joint-Venture für die...

Samsung nimmt die Serienfertigung von 576Mb-RDRAM auf

Schwalbach/Ts., 10. September 2003 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat heute mit der Serienfertigung von 576-Mbit-RDRAM® begonnen. Der Hochleistungsspeicher, der eine Rekorddatenübertragungsrate von 1200 Mbits/s erreicht, bietet...