Samsung Electronics produziert den weltweit ersten funktionsfähigen Prototyp der nächsten Speichergeneration – DDR3
Schwalbach/TS., Deutschland, 17. Februar 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat jetzt das weltweit erste DDR3 DRAM (Dynamic Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit produziert....
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