Samsung mit DDR3-RAM in 30 Nanometern
Schneller und engergieeffizienter als voherige Generationen
Samsung hat neuen DDR3-RAM mit Chips, die im 30-Nanometer-Verfahren entstehen, angekündigt. Die neuen Module sollen diesen Sommer erscheinen und Anwender mit mehr Leistung und Energieffizienz überzeugen als vorherige Generationen. Samsungs Reid Sullivan,...
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