Samsung mit DDR3-RAM in 30 Nanometern
Schneller und engergieeffizienter als voherige Generationen
Samsung hat neuen DDR3-RAM mit Chips, die im 30-Nanometer-Verfahren entstehen, angekündigt. Die neuen Module sollen diesen Sommer erscheinen und Anwender mit mehr Leistung und Energieffizienz überzeugen als vorherige Generationen. Samsungs Reid Sullivan,...
Neueste Kommentare
11. August 2026
8. August 2026
7. August 2026
6. August 2026
23. Juli 2026
23. Juli 2026