No Limits – DDR400 und DDR433 SDRAM - Seite 2

DDR400 und DDR433 SDRAM von Kingston, Corsair, Crucial und takeMS

Anzeige

Theorie – Speichertimings

Bevor wir nun näher auf unsere vier Testkandidaten eingehen, wollen wir noch auf den Hintergrund der Speichertimings eingehen, da diese im weiteren Verlauf unseres Tests eine wichtige Rolle spielen werden. Für Viele stellt sich die Frage, was die einzelnen Timings bewirken und wie man sie richtig einstellt. Bei den heutigen RAM-Modulen konfiguriert zunächst das sogenannte „SPD“ (Serial Presence Detect) die Timings im BIOS automatisch. Dabei werden die vom Hersteller gespeicherten Daten aus dem EEPROM-Chip des jeweiligen Speichers geladen. Diese Timings sind meistens vom Hersteller so optimiert, dass sie dem Speicher eine möglichst große Stabilität geben. Will man nun mehr Performance aus seinem RAM holen, kann man versuchen, die Timings manuell zu optimieren. Im Normalfall kann man im BIOS-Setup an den vier Timings tCL (CAS Latency), tRCD (RAS to CAS Delay), tRP (RAS Precharge Time) und tRAS (RAS Active Time) herumschrauben. Wir wollen nun diese einzelnen Timings näher erläutern:

tCL (CAS Latency):
Die sogenannte CAS Latency gibt die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem RAM-Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten an. Das bedeutet, dass hier ein kleinerer Wert von Vorteil ist, da die Verzögerung dadurch kürzer wird. Zur Zeit gibt es RAM-Bausteine mit CL3.0, CL 2.5 und sogar CL 2.0. Die letzteren haben natürlich dementsprechend die kleinste Verzögerung und dadurch einen kleinen „Zeitvorteil“.

tRCD (RAS to CAS Delay):
RAS to CAS Delay gibt die Länge der Taktzyklen an, welche zur Datenübertragung und Datenauslesung im Reihen- (RAS) und Spaltensignal (CAS) benötigt werden. D.h., dass auch hier ein kleinerer Wert „schnellere“ Performance verspricht.

tRP (RAS Precharge Time):
„Precharge Time“ steht für „Vorladezeit“. Somit wird hier also die Vorladezeit des RAS-Signals angesprochen, mit anderen Worten: die Zeit der DRAM-Zellen-Aufladung. Sobald die Zellen aufgeladen sind, kann der Schreib- bzw. Lesevorgang beginnen. Je kürzer die Aufladezeit ist, desto schneller beginnen natürlich auch diese Transfervorgänge.

tRAS (RAS Active Time):
Die RAS Active Time hält die Speicherzellen geöffnet, falls verschiedene, hintereinander geschriebene Daten in einer Row Adress stehen. Somit können weitere Daten empfangen werden. Für einen verbesserten Datendurchlass sollte auch dieses Timing auf niedrig stehen.

Zusammengefasst:
Man kann bei den Speichertimings also sagen, dass „weniger“ „mehr“ ist. Niedrigere Einstellungen können zu einem schnelleren Datendurchsatz führen, jedoch kann unter einem Herunterdrehen der Timings die Stabilität leiden. Sollte das System nicht booten oder sich Windows instabil verhalten, hat man dann noch die Möglichkeit, die Spannung für die Speicherriegel zu erhöhen. Wiederrum dabei ist zu beachten, dass bei einer Spannungserhöhnung natürlich die Riegel erhöhter Wärme ausgesetzt sind, was zu verkürzten Lebenszeiten führt. Es gibt Hauptspeicher, welche schon beim Kauf mit passiven Kühlern bestückt sind. Diese haben dadurch natürlich einen Vorteil beim Übertakten, da sie mehr Wärme ableiten können.
Die Einstellungsmöglichkeiten für Timings differieren bei den jeweiligen Motherboard-Herstellern. So kann man bei manchen Boards mehr, bei anderen wiederum weniger Veränderungen vornehmen. Die vier von uns genannten Grund-Timings werden jedoch von nahezu allen aktuellen Boards unterstützt.
Im weiteren Verlauf unseres Tests werden wir die Timings im Schema 2.5-3-3-5 angeben. Dabei steht der erste Wert für die „CAS Latency“ (2.5), der zweite für „RAS to CAS Delay“ (3), der dritte für „RAS Precharge Time“ (3) und der letzte für „RAS Active Time“ (5).

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert.