Samsung: Sparsamer DDR3-RAM
Umstellung auf 30nm-Prozess
Samsung meldet Erfolge bei der Umstellung der Green DDR3-Serie auf 30 Nanometer Strukturbreiten. Startzeitraum für die Massenproduktion ist das zweite Halbjahr 2010. Die neuen Speicherriegel benötigen 1,35 Volt Versorgungsspannung. Vier Gigabyte sollen...
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